SRSYS (Stanford Research Systems)


Генераторы сигналов→импульсные→SRSYS (Stanford Research Systems)

Генератор импульсов DG645

Генератор импульсов DG645

Генератор импульсов + генератор задержек (опция), 4 канала (прямой цифровой синтез). Импульс: диапазон частот 100 мкГц … 10 МГц; разрешение 1 мкГц; выходной уровень 0,5 … 5,0 В (50 Ом); время..

410652р.

Опция 1 для DG645

Опция 1 для DG645

Генератор задержек: 8 каналов на задней панели (T0, A, B, C, D, E, F, G и H); выходной уровень + 5 В CMOS/КМОП логика на 50 Ом; время нарастания ..

90816р.

Опция 2 для DG645

Опция 2 для DG645

Генератор задержек: 8 каналов на задней панели (T0, A, B, C, D, E, F, G и H); выходной уровень 0 … 30 В на 1 МОм; 0 … 15 В на 50 Ом; время нарастания ..

90816р.

Опция 3 для DG645

Опция 3 для DG645

Генератор задержек: 8 комбинированных каналов (T0, AB, CD, EF, GH, (AB + CD), (EF + GH), (AB + CD + EF), (AB + CD + EF + GH)); 50 Ом; время нарастания ..

90816р.

Опция 4 для DG645

Опция 4 для DG645

Термостатированный опорный генератор. Старение: 2 × 10–7/год. Стабильность: 1 × 10–9/год..

90816р.

Опция 5 для DG645

Опция 5 для DG645

Рубидиевый опорный генератор. Старение: 5 × 10–10/год. Стабильность: 1 × 10–10/год..

157740р.

Ускоритель нарастающего фронта SRD1

Ускоритель нарастающего фронта SRD1...

Ускоритель нарастающего фронта импульса. Время нарастания < 100 пс . Выходной уровень 0,5 В … 5 В. Смещение 0,8 В … 1,1 В. Импеданс 50 Ом...

23892р.

Показано с 1 по 7 из 7 (всего 1 страниц)